nvbg020n090sc1
"Sopimushinnoittelua ei voida näyttää tällä hetkellä. Näytetyt hinnat ovat normaaleja jälleenmyyntihintoja. Tehtyihin tilauksiin sovelletaan käsiteltäessä sopimushintoja.
| Valmistajan osanumero | Tilauskoodi | Kuvaus / Valmistaja | Saatavuus | Hinta: |
Hinta
|
Määrä | MOSFET Module Configuration | Channel Type | Continuous Drain Current Id | Drain Source Voltage Vds | Drain Source On State Resistance | Transistor Case Style | No. of Pins | Rds(on) Test Voltage | Gate Source Threshold Voltage Max | Power Dissipation | Operating Temperature Max | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Sort Acending Sort Decending | Sort Acending Sort Decending | Sort Acending Sort Decending | Sort Acending Sort Decending | Sort Acending Sort Decending | Sort Acending Sort Decending | Sort Acending Sort Decending | Sort Acending Sort Decending | Sort Acending Sort Decending | Sort Acending Sort Decending | Sort Acending Sort Decending | ||||||||
NVBG020N090SC1
|
3367862 |
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK) ONSEMI
Olet aiemmin ostanut tämän tuotteen.
Katso tilaushistoriasta
|
|
kappale (leikattu nauha)
|
1+ 46,43 € |
Rajoitettu tuote
Minimitilaus 1 tuotetta Vain 1 kerrannaiset Kirjoita kelvollinen määrä Min: 1
Mult:
1
|
Single | N Channel | 112A | 900V | 0.02ohm | TO-263 (D2PAK) | 7Pins | 15V | 2.6V | 477W | 175°C | |
|
NVBG020N090SC1
|
3367862RL |
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK) ONSEMI
Olet aiemmin ostanut tämän tuotteen.
Katso tilaushistoriasta
|
|
kappale (leikattu nauha)
Uudelleenkelausmaksu 5,00 € lisätään tämän tuotteen hintaan
|
1+ 46,43 € |
Rajoitettu tuote
Minimitilaus 10 tuotetta Vain 5 kerrannaiset Kirjoita kelvollinen määrä Min: 10
Mult:
5
|
Single | N Channel | 112A | 900V | 0.02ohm | TO-263 (D2PAK) | 7Pins | 15V | 2.6V | 477W | 175°C |